2021年廣東省半導(dǎo)體及集成電路公共服務(wù)平臺和創(chuàng)新平臺認(rèn)定補貼

一、重點支持方向

重點支持企業(yè)、事業(yè)單位、高校、科研機(jī)構(gòu)等法人實體投資建設(shè)的半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域公共服務(wù)和創(chuàng)新基礎(chǔ)設(shè)施，主要包括：

(一)芯片設(shè)計服務(wù)平臺和創(chuàng)新平臺。芯片設(shè)計服務(wù)平臺，向社會提供EDA工具服務(wù)、MPW(多項目晶圓加工)服務(wù)、設(shè)計外包服務(wù)、測試驗證服務(wù)、IP分析交易服務(wù)、人才培訓(xùn)服務(wù)等。芯片設(shè)計工具軟件研發(fā)和測試平臺，開展EDA(電子設(shè)計自動化)工具軟件研發(fā)測試，開展EDA云上架構(gòu)和應(yīng)用AI技術(shù)研發(fā)，開展TCAD、封裝EDA工具開發(fā)等。芯片設(shè)計研發(fā)、模擬仿真和測試平臺。開展底層算法與架構(gòu)技術(shù)研發(fā)，開展通用芯片、專用芯片研發(fā)、模擬仿真和測試。

(二)芯片產(chǎn)品檢測認(rèn)證平臺。向社會提供部件及終端產(chǎn)品模擬、測試驗證、產(chǎn)品質(zhì)量測評、環(huán)境適應(yīng)性評價、安全可靠性認(rèn)證等服務(wù)。

(三)芯片生產(chǎn)制造關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、中試和測試平臺。開展FinFET特色工藝制程、先進(jìn)工藝制程開發(fā)，探索開展FDSOI等新技術(shù)路徑開發(fā)。

(四)先進(jìn)封裝測試研發(fā)和工程化驗證平臺。開展晶圓級封裝、系統(tǒng)級封裝、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型封裝、三維封裝、真空封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)，以及脈沖序列測試、MEMS探針、IC集成探針卡等先進(jìn)晶圓級測試技術(shù)開發(fā)，開展超高速光通信核心器件與模塊封測技術(shù)開發(fā)等。

(五)關(guān)鍵材料與器件研發(fā)及工程化驗證平臺。開展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等化合物半導(dǎo)體材料、器件和模塊的開發(fā)，開展氟聚酰亞胺、光刻膠等電子化學(xué)品材料以及納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體等元器件關(guān)鍵材料研發(fā)。

(六)芯片生產(chǎn)制造關(guān)鍵設(shè)備及零部件研發(fā)及工程化驗證平臺。開展光學(xué)和電子束光刻機(jī)關(guān)鍵部件、先進(jìn)封裝技術(shù)專用設(shè)備研發(fā)，開展缺陷檢測設(shè)備、激光加工設(shè)備、半導(dǎo)體器件巨量組裝設(shè)備等整機(jī)設(shè)備研發(fā)，以及高精密陶瓷零部件、射頻電源、高速高清投影鏡頭等設(shè)備關(guān)鍵零部件研發(fā)。

(七)新一代半導(dǎo)體及集成電路綜合研發(fā)平臺。圍繞工具軟件、芯片架構(gòu)、芯片設(shè)計、特色工藝制程、半導(dǎo)體新材料、生產(chǎn)設(shè)備核心部件等環(huán)節(jié)，開展關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，積極開展混合集成、異構(gòu)集成等技術(shù)研發(fā)，加強(qiáng)多種技術(shù)路線探索。

一個平臺項目可包括上述多個方向。

二、申報條件

(一)承擔(dān)單位應(yīng)在廣東省內(nèi)注冊，具有獨立法人資格。

(二)已被有關(guān)部門認(rèn)定為國家級、省級平臺。

(三)項目建設(shè)周期不超過三年，已完成的固定資產(chǎn)投資權(quán)屬清晰，形象進(jìn)度不超過50%。

(四)建設(shè)項目要有明確可行的發(fā)展思路和建設(shè)目標(biāo)，投資方案合理，管理和運行機(jī)制規(guī)范。

(五)項目申報時應(yīng)完成項目備案等立項手續(xù)，同時加快環(huán)評、城鄉(xiāng)規(guī)劃、用地審批等工作進(jìn)度，確保投資計劃下達(dá)前完成前期工作。

(六)項目承擔(dān)單位要對申報材料的真實性負(fù)責(zé)，并出具承諾書，承諾其所報材料尤其是投資規(guī)模的真實性，承擔(dān)因上報虛假信息造成的相應(yīng)后果，如取消申報資格、納入失信名單等。